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參數(shù)資料
| 型號： | GM72V66841ELT-75 |
| 廠商： | HYNIX SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 2,097,152 WORD x 8 BIT x 4 BANK SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| 中文描述： | 8M X 8 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PDSO54 |
| 封裝： | 0.400 INCH, TSOP2-54 |
| 文件頁數(shù)： | 33/57頁 |
| 文件大?。?/td> | 592K |
| 代理商： | GM72V66841ELT-75 |
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LG Semicon
GM72V66841CT/CLT
Write Command to Precharge Command
Interval (same bank):
When the Precharge
command is executed for the same bank as the
write command that preceded it, the minimum
interval between the two commands is 1 cycle.
However, if the burst write operation is
unfinished, the input data must be masked by
means of DQM, DQMU/DQML for assurance of
the cycle defined by
t
RWL
.
Burst Length = 4 ( To stop write operation)
32
Command
DQM,
DQMU/DQML
Din
t
RWL
WRIT
PRE/PALL
CLK
in A0
in A1
t
RWL
PRE/PALL
WRIT
Command
DQM,
DQMU/DQML
Din
CLK
Burst Length = 4 (To write all data)
CLK
Din
t
RWL
in A0
in A1
in A2
in A3
DQM,
DQMU/DQML
WRIT
PRE/PALL
Command
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PDF描述 |
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