參數(shù)資料
型號(hào)： GF4410
英文描述： TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 10A I(D) | SO
中文描述： 晶體管| MOSFET的| N溝道| 30V的五（巴西）直| 10A條（丁）|蘇
文件頁數(shù)： 4/5頁
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代理商： GF4410
0.01
0.1
1
10
100
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
I
S
V
SD
-- Source-to-Drain Voltage (V)
T
J
= 125
°
C
--55
°
C
25
°
C
V
GS
= 0V
Fig. 9
–
Source-Drain Diode
Forward Voltage
0
2
4
6
8
10
0
10
20
30
40
45
Q
g
-- Gate Charge (nC)
Fig. 7
–
Gate Charge
V
G
V
DS
= 15V
I
D
= 10A
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
0
5
10
15
20
25
C
V
DS
-- Drain-to-Source Voltage (V)
C
iss
C
oss
C
rss
Fig. 8
–
Capacitance
f = 1MHz
V
GS
= 0V
0
0.005
0.01
0.02
0.03
0.015
0.025
0.035
2
4
6
8
10
Fig. 6
–
On-Resistance
vs. Gate-to-Source Voltage
R
D
)
V
GS
-- Gate-to-Source Voltage (V)
I
D
= 10A
T
J
= 125
°
C
25
°
C
Ratings and
Characteristic Curves
(T
A
= 25
°
C unless otherwise noted)
GF4410
N-Channel Enhancement-Mode MOSFET
相關(guān)PDF資料
PDF描述
GF4412 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 7A I(D) | SO
GF4420 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 12.5A I(D) | SO
GF4425 TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 11A I(D) | SO
GFB60N03 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 60A I(D) | TO-263AB
GFB65N02 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 65A I(D) | TO-263AB
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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GF4412 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 7A I(D) | SO
GF4412\5B 功能描述:MOSFET ALT 781-SI4412ADY RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
GF4420 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 12.5A I(D) | SO
GF4420\5B 功能描述:MOSFET USE 781-SI4420DY RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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