| 型號(hào): | GF4425 |
| 英文描述: | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 11A I(D) | SO |
| 中文描述: | 晶體管| MOSFET的| P通道| 30V的五(巴西)直| 11A條(?。﹟蘇 |
| 文件頁(yè)數(shù): | 1/5頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 152K |
| 代理商: | GF4425 |

相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GFB60N03 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 60A I(D) | TO-263AB |
| GFB65N02 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 65A I(D) | TO-263AB |
| GFB75N03 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 75A I(D) | TO-263AB |
| GFC654 | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 3.6A I(D) | TSOP |
| GFD2206 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 42A I(D) | TO-252AA |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| GF4425\5B | 功能描述:MOSFET USE 781-SI4425DY RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| GF4435 | 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 8A I(D) | SO |
| GF4435\5B | 功能描述:MOSFET P-Channel 30V 8A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| GF4450 | 制造商:VISHAY 制造商全稱(chēng):Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel Enhancement-Mode MOSFET |
| GF4450\5B | 功能描述:MOSFET SO-8 N-CH 60V 7.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |