參數(shù)資料
型號： GB05XP120KTPBF
廠商： VISHAY SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： TRANSISTOR 12 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, ROHS COMPLIANT, MTP, 13 PIN, Insulated Gate BIP Transistor
中文描述： IGBT Transistors 1200 Volt 12 Amp
文件頁數(shù)： 5/10頁
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代理商： GB05XP120KTPBF
Document Number: 93912
Revision: 03-Aug-10
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5
GB05XP120KTPbF
Vishay Semiconductors
Three Phase Inverter Module in MTP Package
1200 V NPT IGBT and HEXFRED
Diodes, 5 A
Fig. 9 - Typical Capacitance vs. V
CE
V
GE
= 0 V; f = 1 MHz
Fig. 10 - Typical Gate Charge vs. V
GE
I
CE
= 5 A
Fig. 11 - Maximum DC Collector Current vs.
Case Temperature
Fig. 12 - Power Dissipation vs. Case Temperature
(IGBT only)
Fig. 13 - Forward SOA
T
C
= 25 °C, T
J
150 °C
Fig. 14 - Reverse BIAS SOA
T
J
= 150 °C, V
GE
= 15 V
0
10
20
30
40
10
100
1000
Vce (V)
C
Cies
Coes
Cres
Q
G
, Total Gate Charge (nC)
0
5
10
15
20
25
30
0
2
4
6
8
10
12
14
16
600V
V
G
0
40
80
120
160
0
3
6
9
12
15
I
Tc (°C)
0
40
80
120
160
0
10
20
30
40
50
Tc (°C)
P
1
10
100
1000
10000
0.01
0.1
1
10
100
Vce (V)
I
20 μs
100 μs
1 ms
DC
10
100
1000
10000
1
10
100
Vce (V)
I
相關PDF資料
PDF描述
GB100DA60UP TRANSISTOR 125 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, ROHS COMPLIANT PACKAGE-4, Insulated Gate BIP Transistor
GB10RF120K TRANSISTOR 20 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, ECONO2PIM-24, Insulated Gate BIP Transistor
GB10XF120K TRANSISTOR 20 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, ECONO26PACK-17, Insulated Gate BIP Transistor
GB15RF120K TRANSISTOR 25 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, ECONO2PIM-24, Insulated Gate BIP Transistor
GB15XF120K TRANSISTOR 25 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, ECONO26PACK-17, Insulated Gate BIP Transistor
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參數(shù)描述
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