參數(shù)資料
型號(hào)： FZ600R65KF1
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： IGBT-Module
中文描述： 1200 A, 6300 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： MODULE-9
文件頁(yè)數(shù)： 8/10頁(yè)
文件大?。?/td> 185K
代理商： FZ600R65KF1
Technische Information / Technical Information
FZ 600 R 65 KF1
IGBT-Module
IGBT-Modules
t [s]
i
1
2
3
4
r
i
[K/kW]
: IGBT
4,95
2,75
0,66
2,64
τ
i
[s]
: IGBT
0,030
0,10
0,30
1,0
r
i
[K/kW]
: Diode
9,45
5,25
1,26
5,04
τ
i
[s]
: Diode
0,030
0,10
0,30
1,0
Z
t
[
0,0001
0,001
0,01
0,1
0,001
0,01
0,1
1
10
100
Zth:Diode
Zth:IGBT
Transienter Wrmewiderstand Z
thJC
= f (t)
Transient thermal impedance
8
FZ 600 R65 KF1 (final1).xls
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FZH211S DRIVER AND LEVEL CONVERTER INCI. AUTOMATIC THRESHOLD CHANGEOVER
FZH215S DRIVER AND LEVEL CONVERTER INCI. AUTOMATIC THRESHOLD CHANGEOVER
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FZT1048A NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR
FZT1049A NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR
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參數(shù)描述
FZ600R65KF2 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 6.3KV 600A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FZ633 制造商:BACO Controls Inc 功能描述:
FZ654 制造商:BACO Controls Inc 功能描述:
FZ655-3 制造商:BACO Controls Inc 功能描述:
FZ701 制造商:BACO Controls Inc 功能描述:
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