參數(shù)資料
型號： FZ600R65KF1
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： IGBT-Module
中文描述： 1200 A, 6300 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： MODULE-9
文件頁數(shù)： 6/10頁
文件大?。?/td> 185K
代理商： FZ600R65KF1
Technische Information / Technical Information
FZ 600 R 65 KF1
IGBT-Module
IGBT-Modules
E
I
C
[A]
E
R
G
[
]
0
2000
4000
6000
8000
10000
12000
14000
16000
0
200
400
600
800
1000
1200
Eon
Eoff
Erec
Schaltverluste (typisch) E
on
= f (I
C
) , E
off
= f (I
C
) , E
rec
= f (I
C
)
Switching losses (typical)
R
Gon
=4,3
, R
Goff
=25
, C
GE
= 68nF, V
GE
=±15V, V
CE
= 3600V, T
vj
= 125°C,
0
2000
4000
6000
8000
10000
12000
14000
4
6
8
10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 30 32 34 36 38 40 42 44 46 48
Eon
Eoff
Erec
Schaltverluste (typisch) E
on
= f (R
G
) , E
off
= f (R
G
) , E
rec
= f (R
G
)
Switching losses (typical)
I
C
= 600A , V
CE
= 3600V , V
GE
=±15V, C
GE
=68nF , T
vj
= 125°C
6
FZ 600 R65 KF1 (final1).xls
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FZH211S DRIVER AND LEVEL CONVERTER INCI. AUTOMATIC THRESHOLD CHANGEOVER
FZH215S DRIVER AND LEVEL CONVERTER INCI. AUTOMATIC THRESHOLD CHANGEOVER
FZT1047A RES 3.65K 1% 0603
FZT1048A NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR
FZT1049A NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FZ600R65KF2 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 6.3KV 600A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FZ633 制造商:BACO Controls Inc 功能描述:
FZ654 制造商:BACO Controls Inc 功能描述:
FZ655-3 制造商:BACO Controls Inc 功能描述:
FZ701 制造商:BACO Controls Inc 功能描述:
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*