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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | FZ600R65KF1 |
| 廠商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | IGBT-Module |
| 中文描述： | 1200 A, 6300 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | MODULE-9 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 3/10頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 185K |
| 代理商： | FZ600R65KF1 |
Technische Information / Technical Information
FZ 600 R 65 KF1
IGBT-Module
IGBT-Modules
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
min.
typ.
max.
Innerer Wrmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Transistor / transistor, DC
R
thJC
-
-
0,011
K/W
Diode/Diode, DC
-
-
0,021
K/W
übergangs-Wrmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
pro Modul / per Module
λ
Paste
≤
1 W/m*K /
λ
grease
≤
1 W/m*K
R
thCK
-
0,006
-
K/W
Hchstzulssige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
T
vj, max
-
-
150
°C
Betriebstemperatur Sperrschicht
junction operation temperature
Schaltvorgnge IGBT(RBSOA);Diode(SOA)
switching operation IGBT(RBSOA);Diode(SOA)
T
vj,op
-40
-
125
°C
Lagertemperatur
storage temperature
T
stg
-40
-
125
°C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehuse, siehe Anlage
case, see appendix
Innere Isolation
internal insulation
AlN
Kriechstrecke
creepage distance
56
mm
Luftstrecke
clearance
26
mm
CTI
comperative tracking index
>600
Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung
mounting torque
Schraube /screw M6
M
5
Nm
Anzugsdrehmoment f. elektr. Anschlüsse
terminal connection torque
Anschlüsse / terminals M4
2
Nm
Anschlüsse / terminals M8
8 - 10
Nm
Gewicht
weight
G
1400
g
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert.
Sie gilt in Verbindung mit den zugehrigen Technischen Erluterungen.
This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is
valid in combination with the belonging technical notes.
M
3
FZ 600 R65 KF1 (final1).xls
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FZH211S | DRIVER AND LEVEL CONVERTER INCI. AUTOMATIC THRESHOLD CHANGEOVER |
| FZH215S | DRIVER AND LEVEL CONVERTER INCI. AUTOMATIC THRESHOLD CHANGEOVER |
| FZT1047A | RES 3.65K 1% 0603 |
| FZT1048A | NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR |
| FZT1049A | NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| FZ600R65KF2 | 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 6.3KV 600A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| FZ633 | 制造商:BACO Controls Inc 功能描述: |
| FZ654 | 制造商:BACO Controls Inc 功能描述: |
| FZ655-3 | 制造商:BACO Controls Inc 功能描述: |
| FZ701 | 制造商:BACO Controls Inc 功能描述: |
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