參數(shù)資料
型號(hào)： FZ600R65KF1
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： IGBT-Module
中文描述： 1200 A, 6300 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： MODULE-9
文件頁數(shù)： 7/10頁
文件大?。?/td> 185K
代理商： FZ600R65KF1
Technische Information / Technical Information
FZ 600 R 65 KF1
IGBT-Module
IGBT-Modules
I
C
V
CE
[V] (at auxiliary terminals)
I
R
V
R
[V] (at auxiliary terminals)
Sicherer Arbeitsbereich (RBSOA)
Reverse bias safe operation area (RBSOA)
R
G,off
= 25
, C
GE
=68nF, V
GE
=±15V, T
vj
= <see inset>, V
CC
<=4400V
0
2000
200
400
600
800
1000
1200
2500
3000
3500
4000
4500
5000
5500
6000
6500
Tvj=125°C
Tvj=25°C
0
200
400
600
800
1000
1200
0
1000
2000
3000
4000
5000
6000
Sicherer Arbeitsbereich Diode (SOA)
safe operation area Diode (SOA)
P
max
= 1800kW ;
T
vj
= 125°C
7
FZ 600 R65 KF1 (final1).xls
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FZH211S DRIVER AND LEVEL CONVERTER INCI. AUTOMATIC THRESHOLD CHANGEOVER
FZH215S DRIVER AND LEVEL CONVERTER INCI. AUTOMATIC THRESHOLD CHANGEOVER
FZT1047A RES 3.65K 1% 0603
FZT1048A NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR
FZT1049A NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FZ600R65KF2 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 6.3KV 600A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FZ633 制造商:BACO Controls Inc 功能描述:
FZ654 制造商:BACO Controls Inc 功能描述:
FZ655-3 制造商:BACO Controls Inc 功能描述:
FZ701 制造商:BACO Controls Inc 功能描述:
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