參數(shù)資料
型號(hào)： FP15R06KL4
廠商： Electronic Theatre Controls, Inc.
英文描述： Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
中文描述： 電氣個(gè)性的/電氣特性
文件頁(yè)數(shù)： 11/12頁(yè)
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代理商： FP15R06KL4
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
FP15R06KL4
Vorlufig
Preliminary
Schaltplan/ Circuit diagram
Gehuseabmessungen/ Package outlines
Bohrplan /
drilling layout
11(12)
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PDF描述
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參數(shù)描述
FP15R06W1E3 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 600V 22A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FP15R06W1E3_B11 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT Module 15A 600V
FP15R06YE3 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 600V 22A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FP15R06YE3_B4 功能描述:IGBT 模塊 IGBT 600V 15A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FP15R12KE3 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 1.2KV 27A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
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