參數(shù)資料
型號： FP25R12KE3
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： IGBT-Module
中文描述： 40 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： MODULE-24
文件頁數(shù)： 1/11頁
文件大小： 155K
代理商： FP25R12KE3
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
FP25R12KE3
Vorlufige Daten
Preliminary data
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Hchstzulssige Werte / Maximum rated values
Diode Gleichrichter/ Diode Rectifier
Periodische Rückw. Spitzensperrspannung
repetitive peak reverse voltage
V
RRM
1600
V
Gleichrichter Ausgang Grenzeffektivstrom
maximum RMS current at Rectifier output
I
RMSmax
60
A
Dauergleichstrom
DC forward current
Stostrom Grenzwert
surge forward current
Grenzlastintegral
I
2
t - value
T
C
= 80°C
I
d
25
A
t
P
= 10 ms, T
vj
= 25°C
t
P
= 10 ms, T
vj
= 150°C
t
P
= 10 ms, T
vj
= 25°C
t
P
= 10 ms, T
vj
= 150°C
I
FSM
315
260
500
340
A
A
I
2
t
A
2
s
A
2
s
Transistor Wechselrichter/ Transistor Inverter
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
collector-emitter voltage
V
CES
1200
V
Kollektor-Dauergleichstrom
DC-collector current
Tc = 80 °C
T
C
= 25 °C
I
C,nom.
I
C
25
40
A
A
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
repetitive peak collector current
t
P
= 1 ms, T
C
=
80 °C
I
CRM
50
A
Gesamt-Verlustleistung
total power dissipation
T
C
= 25°C
P
tot
150
W
Gate-Emitter-Spitzenspannung
gate-emitter peak voltage
V
GES
+/- 20V
V
Diode Wechselrichter/ Diode Inverter
Dauergleichstrom
DC forward current
Tc = 80 °C
I
F
25
A
Periodischer Spitzenstrom t
repetitive peak forw. current
P
= 1 ms
I
FRM
50
A
Grenzlastintegral
I
2
t - value
V
R
= 0V, t
p
= 10ms, T
vj
= 125°C
I
2
t
170
A
2
s
Transistor Brems-Chopper/ Transistor Brake-Chopper
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
collector-emitter voltage
V
CES
1200
V
Kollektor-Dauergleichstrom
DC-collector current
T
C
= 80 °C
T
C
= 25 °C
I
C,nom.
I
C
15
25
A
A
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
repetitive peak collector current
Gesamt-Verlustleistung
total power dissipation
Gate-Emitter-Spitzenspannung
gate-emitter peak voltage
t
P
= 1 ms, T
C
= 80°C
I
CRM
30
A
T
C
= 25°C
P
tot
100
W
V
GES
+/- 20V
V
Diode Brems-Chopper/ Diode Brake-Chopper
Dauergleichstrom
DC forward current
Tc = 80 °C
I
F
10
A
Periodischer Spitzenstrom t
repetitive peak forw. current
P
= 1 ms
I
FRM
20
A
prepared by: Andreas Schulz
date of publication:06.03.2001
approved by: Hornkamp
revision: 1
1(11)
DB-PIM-IGBT3_1.xls
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FP40R12KE3G Automotive Low-Cost Non-Volatile FPGA Family; Voltage: 1.2V; Grade: -5; Package: Lead-Free ftBGA; Pins: 256; Temperature: AUTO; LUTs (k): 17
FP50N06L 50A, 60V, 0.022 Ohm, Logic Level N-Channel Power MOSFETs
FP50R12KE3 Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
FP75R12KE3 Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
FPAL10SH60 16 Characters x 4 Lines, 5x7 Dot Matrix Character and Cursor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FP25R12KE3V1 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:IGBT Module
FP25R12KS4C 功能描述:IGBT 晶體管 1200V 25A PIM RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
FP25R12KS4CV2 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:IGBT Module
FP25R12KT3 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 1.2KV 40A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FP25R12KT4 功能描述:IGBT 模塊 IGBT 1200V 25A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*