參數(shù)資料
型號： FP15R06KL4
廠商： Electronic Theatre Controls, Inc.
英文描述： Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
中文描述： 電氣個性的/電氣特性
文件頁數(shù)： 1/12頁
文件大?。?/td> 202K
代理商： FP15R06KL4
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
FP15R06KL4
Vorlufig
Preliminary
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Hchstzulssige Werte / Maximum rated values
Diode Gleichrichter/ Diode Rectifier
Periodische Rückw. Spitzensperrspannung
repetitive peak reverse voltage
T
vj
=25°C
V
RRM
800
V
Durchlastrom Grenzeffektivwert pro Chip
RMS forward current per chip
T
C
=80°C
I
FRMSM
23
A
Gleichrichter Ausgang Grenzeffektivstrom
maximum RMS current at Rectifier output
T
C
=80°C
I
RMSmax
36
A
Stostrom Grenzwert
surge forward current
Grenzlastintegral
I
2
t - value
t
P
= 10 ms, T
vj
= 25°C
t
P
= 10 ms, T
vj
= 150°C
t
P
= 10 ms, T
vj
= 25°C
t
P
= 10 ms, T
vj
= 150°C
I
FSM
197
158
194
125
A
A
I
2
t
A
2
s
A
2
s
Transistor Wechselrichter/ Transistor Inverter
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
collector-emitter voltage
T
vj
=25°C
V
CES
600
V
Kollektor-Dauergleichstrom
DC-collector current
T
C
=65°C
T
C
= 25 °C
I
C,nom.
I
C
15
19
A
A
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
repetitive peak collector current
t
P
= 1 ms, T
C
=65°C
I
CRM
30
A
Gesamt-Verlustleistung
total power dissipation
T
C
= 25°C
P
tot
60
W
Gate-Emitter-Spitzenspannung
gate-emitter peak voltage
V
GES
+/- 20V
V
Diode Wechselrichter/ Diode Inverter
Dauergleichstrom
DC forward current
I
F
15
A
Periodischer Spitzenstrom
repetitive peak forw. current
t
P
= 1 ms
I
FRM
30
A
Grenzlastintegral
I
2
t - value
V
R
= 0V, t
p
= 10ms, T
vj
= 125°C
I
2
t
25
A
2
s
Transistor Brems-Chopper/ Transistor Brake-Chopper
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
collector-emitter voltage
T
vj
=25°C
V
CES
600
V
Kollektor-Dauergleichstrom
DC-collector current
T
C
=65 °C
T
C
= 25 °C
I
C,nom.
I
C
15
19
A
A
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
repetitive peak collector current
t
P
= 1 ms, T
C
=65°C
I
CRM
30
A
Gesamt-Verlustleistung
total power dissipation
T
C
= 25°C
P
tot
60
W
Gate-Emitter-Spitzenspannung
gate-emitter peak voltage
V
GES
+/- 20V
V
Diode Brems-Chopper/ Diode Brake-Chopper
Dauergleichstrom
DC forward current
I
F
15
A
Periodischer Spitzenstrom
repetitive peak forw. current
t
P
= 1 ms
I
FRM
30
A
prepared by: Thomas Passe
date of publication: 2002-02-13
approved by: Ingo Graf
revision: 5
1(12)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FP15R12KE3G IGBT-Module
FP15R12KT3 IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter
FP20R06KL4 IGBT-Module
FP25R12KE3 IGBT-Module
FP40R12KE3G Automotive Low-Cost Non-Volatile FPGA Family; Voltage: 1.2V; Grade: -5; Package: Lead-Free ftBGA; Pins: 256; Temperature: AUTO; LUTs (k): 17
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FP15R06W1E3 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 600V 22A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FP15R06W1E3_B11 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT Module 15A 600V
FP15R06YE3 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 600V 22A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FP15R06YE3_B4 功能描述:IGBT 模塊 IGBT 600V 15A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FP15R12KE3 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 1.2KV 27A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*