參數(shù)資料
型號(hào)： FP15R06KL4
廠商： Electronic Theatre Controls, Inc.
英文描述： Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
中文描述： 電氣個(gè)性的/電氣特性
文件頁(yè)數(shù)： 10/12頁(yè)
文件大?。?/td> 202K
代理商： FP15R06KL4
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
FP15R06KL4
Vorlufig
Preliminary
I
F
V
F
[V]
R
T
C
[°C]
Durchlakennlinie der Gleichrichterdiode (typisch)
I
F
= f (V
F
)
Forward characteristic of Rectifier Diode (typical)
0
5
10
15
20
25
30
0
0,2
0,4
0,6
0,8
1
1,2
1,4
Tj = 25°C
Tj = 150°C
NTC- Temperaturkennlinie (typisch) R = f (T)
NTC- temperature characteristic (typical)
Rtyp
100
1000
10000
100000
0
20
40
60
80
100
120
140
10(12)
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PDF描述
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參數(shù)描述
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FP15R06YE3_B4 功能描述:IGBT 模塊 IGBT 600V 15A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FP15R12KE3 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 1.2KV 27A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
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