| 型號(hào): | FGL60N100BNTD | 
| 廠商: | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP | 
| 元件分類: | IGBT 晶體管 | 
| 英文描述: | NPT-Trench IGBT | 
| 中文描述: | 60 A, 1000 V, N-CHANNEL IGBT, TO-264AA | 
| 封裝: | LEAD FREE, TO-264, 3 PIN | 
| 文件頁數(shù): | 5/7頁 | 
| 文件大?。?/td> | 682K | 
| 代理商: | FGL60N100BNTD | 

| 相關(guān)PDF資料 | PDF描述 | 
|---|---|
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| 相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) | 參數(shù)描述 | 
|---|---|
| FGL60N100BNTDTU | 功能描述:IGBT 晶體管 HIGH_POWER RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube | 
| FGL60N100D | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Electrical Characteristics of IGBT | 
| FGL60N100DTU | 功能描述:IGBT 晶體管 60A 1000V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube | 
| FGL60N170D | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Electrical Characteristics of IGBT | 
| FGL60N170DTU | 功能描述:IGBT 晶體管 Copak Discrete IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |