參數資料
型號： FGL60N100BNTD
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： NPT-Trench IGBT
中文描述： 60 A, 1000 V, N-CHANNEL IGBT, TO-264AA
封裝： LEAD FREE, TO-264, 3 PIN
文件頁數： 2/7頁
文件大?。?/td> 682K
代理商： FGL60N100BNTD
FGL60N100BNTD Rev. A
F
2004 Fairchild Semiconductor Corporation
Electrical Characteristics of IGBT
T
C
= 25
°
C unless otherwise noted
Electrical Characteristics of DIODE
T
C
= 25
°
C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Units
Off Characteristics
BV
CES
Collector Emitter Breakdown Voltage
I
CES
Collector Cut-Off Current
I
GES
G-E Leakage Current
V
GE
= 0V, I
C
= 1mA
V
CE
= 1000V, V
GE
= 0V
V
GE
= ± 25, V
CE
= 0V
1000
--
--
--
--
--
--
V
1.0
± 500
mA
nA
On Characteristics
V
GE(th)
G-E Threshold Voltage
Collector to Emitter
Saturation Voltage
I
C
= 60mA, V
CE
= V
GE
I
C
= 10A
,
V
GE
= 15V
I
C
= 60A
,
V
GE
= 15V
4.0
--
--
5.0
1.5
2.5
7.0
1.8
2.9
V
V
V
V
CE(sat)
Dynamic Characteristics
C
ies
Input Capacitance
C
oes
Output Capacitance
C
res
Reverse Transfer Capacitance
V
CE
=10V
,
V
GE
= 0V,
f = 1MHz
--
--
--
6000
260
200
--
--
--
pF
pF
pF
Switching Characteristics
t
d(on)
Turn-On Delay Time
t
r
Rise Time
t
d(off)
Turn-Off Delay Time
t
f
Fall Time
Q
g
Total Gate Charge
Q
ge
Gate-Emitter Charge
Q
gc
Gate-Collector Charge
V
CC
= 600 V, I
C
= 60A,
R
G
= 51
, V
GE
=15V,
Resistive Load, T
C
= 25
°
C
--
--
--
--
--
--
--
140
320
630
130
275
45
95
--
--
--
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
250
350
--
--
V
CE
= 600 V, I
C
= 60A,
V
GE
= 15V
,
, T
C
= 25
°
C
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
--
--
Typ.
1.2
1.8
1.2
0.05
Max.
1.7
2.1
1.5
2
Units
V
V
us
uA
V
FM
Diode Forward Voltage
I
F
= 15A
I
F
= 60A
I
F
= 60A di/dt = 20 A/us
V
RRM
= 1000V
t
rr
I
R
Diode Reverse Recovery Time
Instantaneous Reverse Current
--
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PDF描述
FGL60N100D Electrical Characteristics of IGBT
FGL60N170D Electrical Characteristics of IGBT
FGR15N40A Strobe Flash N-Channel Logic Level IGBT
FGR3000CV-90DA HIGH POWER INVERTER USE PRESS PACK TYPE
FGR3000CV-90DA HIGH POWER INVERTER USE PRESS PACK TYPE
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