參數(shù)資料
型號(hào)： FGL60N100BNTD
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類(lèi)： IGBT 晶體管
英文描述： NPT-Trench IGBT
中文描述： 60 A, 1000 V, N-CHANNEL IGBT, TO-264AA
封裝： LEAD FREE, TO-264, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 4/7頁(yè)
文件大小： 682K
代理商： FGL60N100BNTD
FGL60N100BNTD Rev. A
F
2004 Fairchild Semiconductor Corporation
0
5
10
15
20
25
30
100
1000
10000
Common Emitter
V
GE
= 0V, f = 1MHz
T
C
= 25
℃
Cres
Coes
Cies
C
Collector-Emitter Voltage, V
CE
[V]
0
50
100
150
200
10
100
1000
10000
V
CC
=600V, I
C
=60A
V
GE
=± 15V
T
C
=25
o
C
Tdoff
Tdon
Tf
Tr
S
Gate Resistance, R
G
[
]
10
20
30
40
50
60
100
1000
V
CC
=600V, Rg=51
V
GE
=± 15V, T
C
=25
℃
Tdon
Tr
Tf
Tdoff
S
Collector Current, I
C
[A]
0
50
100
150
200
250
300
0
5
10
15
20
Common Emitter
V
CC
=600V, R
L
=10
T
C
=25
℃
G
G
Gate Charge, Q
g
[nC]
1
10
100
1000
0.1
1
10
100
Single Nonrepetitive Pulse
T
C
= 25
℃
Curve must be darated
linearly with increase
in temperature
50us
100us
1ms
DC Operation
I
C
MAX. (Pulsed)
I
C
MAX. (Continuous)
C
C
Collector-Emitter Voltage, V
CE
[V]
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
1E-3
0.01
0.1
1
10
0.1
0.5
0.2
0.05
0.02
0.01
single pulse
T
T
/
℃
Rectangular Pulse Duration [sec]
Fig 7. Capacitance Characteristics
Fig 8. Switching Characteristics vs.
Gate Resistance
Fig 9. Switching Characteristics vs.
Collector Current
Fig 10. Gate Charge Characteristics
Fig 11. SOA Characteristics
Fig 12. Transient Thermal Impedance of IGBT
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FGL60N100D Electrical Characteristics of IGBT
FGL60N170D Electrical Characteristics of IGBT
FGR15N40A Strobe Flash N-Channel Logic Level IGBT
FGR3000CV-90DA HIGH POWER INVERTER USE PRESS PACK TYPE
FGR3000CV-90DA HIGH POWER INVERTER USE PRESS PACK TYPE
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參數(shù)描述
FGL60N100BNTDTU 功能描述:IGBT 晶體管 HIGH_POWER RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
FGL60N100D 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱(chēng):Fairchild Semiconductor 功能描述:Electrical Characteristics of IGBT
FGL60N100DTU 功能描述:IGBT 晶體管 60A 1000V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
FGL60N170D 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱(chēng):Fairchild Semiconductor 功能描述:Electrical Characteristics of IGBT
FGL60N170DTU 功能描述:IGBT 晶體管 Copak Discrete IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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