參數(shù)資料
型號： FGL40N150
廠商： Fairchild Semiconductor Corporation
英文描述： Electrical Characteristics of the IGBT
中文描述： 電氣特性IGBT的
文件頁數(shù)： 5/7頁
文件大?。?/td> 440K
代理商： FGL40N150
FGL40N150D Rev. A1
F
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
Fig 14. SOA Characteristics
Fig 13. Gate Charge Characteristics
Fig 15. Typical T
rr
vs. di/dt
Fig 16. Typical T
rr
vs. Forward Current
Fig 17. Reverse Current vs. Reverse Voltage
Fig 18. Typical Forward Voltage Drop
vs. Forward Current
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
30
60
90
120
150
180
210
240
270
300
200A/us
100A/us
di/dt = 50A/us
R
r
Forward Current, I
F
[A]
0
50
100
150
200
250
300
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
500
I
F
= 10A
R
r
di/dt [A/us]
300.0
600.0
900.0
1.2k
1.5k
1E-3
0.01
0.1
1
10
100
1000
100
℃
T
C
= 125
℃
25
℃
R
R
Reverse Voltage, V
R
[V]
0.1
1
10
100
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
25
℃
T
C
=125
℃
Instantaneous Voltage, V
F
[V]
I
F
0.1
1
10
100
1000
0.01
0.1
1
10
100
Single Nonrepetitive
Pulse Tc = 25
Curves must be derated
linearly with increase
in temperature
o
C
50
μ
s
100
μ
s
1ms
DC Operation
Ic MAX (Pulsed)
Ic MAX (Continuous)
C
C
Collector - Emitter Voltage, V
CE
[V]
0
25
50
75
100
125
150
0
2
4
6
8
10
12
14
16
Common Emitter
R
L
= 15
, V
CC
= 600V
T
C
= 25
o
C
G
G
Gate Charge, Qg [nC]
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PDF描述
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