參數(shù)資料
型號(hào)： FGL40N150
廠商： Fairchild Semiconductor Corporation
英文描述： Electrical Characteristics of the IGBT
中文描述： 電氣特性IGBT的
文件頁(yè)數(shù)： 4/7頁(yè)
文件大小： 440K
代理商： FGL40N150
FGL40N150D Rev. A1
F
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
Fig 7. Turn-Off Characteristics vs.
Collector Current
Fig 8. Turn-On Characteristics vs.
Collector Current
Fig 9. Switching Loss vs. Collector Current
Fig 10. Turn-Off Characteristics vs.
Gate Resistance
Fig 11. Turn-On Characteristics vs.
Gate Resistance
Fig 12. Switching Loss vs. Gate Resistance
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
1000
Common Emitter
V
GE
=
±
15V, R
G
= 51
T
C
= 25
T
C
= 125
o
C
o
C
tf
td(off)
S
Collector Current, I
C
[A]
10
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Common Emitter
V
GE
=
±
15V, R
G
= 51
T
C
= 25
T
C
= 125
o
C
o
C
tr
td(on)
S
Collector Current, I
C
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10
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40
50
60
70
80
90
100
1000
10000
Eon
Common Emitter
V
GE
=
±
15V, R
G
= 51
T
C
= 25
T
C
= 125
o
C
o
C
Eoff
S
μ
J
Collector Current, I
C
[A]
10
100
100
1000
Common Emitter
V
CC
= 600V, V
GE
=
±
15V
I
C
= 40A
T
C
= 25
T
C
= 125
o
C
o
C
tf
td(off)
S
Gate Resistance, R
G
[
]
10
100
10
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Common Emitter
V
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Gate Resistance, R
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10
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Common Emitter
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= 600V, V
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= 125
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Eoff
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PDF描述
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