參數(shù)資料
型號： FGL40N150
廠商： Fairchild Semiconductor Corporation
英文描述： Electrical Characteristics of the IGBT
中文描述： 電氣特性IGBT的
文件頁數(shù)： 3/7頁
文件大?。?/td> 440K
代理商： FGL40N150
FGL40N150D Rev. A1
F
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
Fig 1. Typical Output Characteristics
Fig 2. Typical Output
Characteristics
Fig 3. Collector to Emitter Saturation
Voltage vs. Case Temperature
Fig 4. Typical Capacitance vs.
Collector to Emitter Voltage
Fig 5. Saturation Voltage vs. V
GE
Fig 6. Saturation Voltage vs. V
GE
0
2
4
6
8
0
20
40
60
80
100
20V
15V
10V
8V
V
GE
= 6V
Common Emitter
T
C
= 25
o
C
C
C
Collector - Emitter Voltage, V
CE
[V]
0
2
4
6
8
10
0
20
40
60
80
100
120
Common Emitter
V
GE
= 15V
T
C
= 25
T
C
= 125
o
C
o
C
C
C
Collector - Emitter Voltage, V
CE
[V]
25
50
75
100
125
150
1
2
3
4
5
6
I
C
= 40A
I
C
= 80A
Common Emitter
V
GE
= 15V
I
C
= 20A
C
C
Case Temperature, T
C
[
o
C]
0
4
8
12
16
20
0
4
8
12
16
20
Common Emitter
T
C
= 25
o
C
40A
80A
20A
C
C
[
Gate - Emitter Voltage, V
GE
[V]
0
4
8
12
16
20
0
4
8
12
16
20
Common Emitter
T
C
= 125
0
C
40A
80A
20A
C
C
[
Gate - Emitter Voltage, V
GE
[V]
1
10
0
1000
2000
3000
4000
5000
Common Emitter
V
GE
=0V, f=1MHz
Tc=25
o
C
Cies
Coes
Cres
C
Collector - Emitter Voltage, V
CE
[V]
相關PDF資料
PDF描述
FGL40N150D Electrical Characteristics of the IGBT
FGL60N100BNTD NPT-Trench IGBT
FGL60N100D Electrical Characteristics of IGBT
FGL60N170D Electrical Characteristics of IGBT
FGR15N40A Strobe Flash N-Channel Logic Level IGBT
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
FGL40N150D 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Electrical Characteristics of the IGBT
FGL40N150DTU 功能描述:IGBT 晶體管 1500V/40A/FRD RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
FGL40N60UFD 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:
FGL60N100BNTD 功能描述:IGBT 晶體管 HIGH_POWER RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
FGL60N100BNTDTU 功能描述:IGBT 晶體管 HIGH_POWER RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*