參數(shù)資料
型號: FF300R17KE3
廠商: INFINEON TECHNOLOGIES AG
元件分類: IGBT 晶體管
英文描述: 62mm C-series module with trench/fieldstop IGBT3 and EmCon3 diode
中文描述: 404 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT
封裝: MODULE-7
文件頁數(shù): 5/8頁
文件大?。?/td> 243K
代理商: FF300R17KE3
5
Technische Information / technical information
FF300R17KE3
IGBT-Module
IGBT-modules
prepared by: Helmut Seidelmann
approved by: Wilhelm Rusche
date of publication: 2006-4-27
revision: 2.1
Vorlufige Daten
preliminary data
Schaltverluste IGBT-Wechselr. (typisch)
switching losses IGBT-Inverter (typical)
Eóò = f (R), Eó = f (R)
V = ±15 V, I = 300 A, V = 900 V
R []
E
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
600
550
500
450
400
350
300
250
200
150
100
50
0
Eóò, TY = 125°C
Eó, TY = 125°C
Transienter Wrmewiderstand IGBT-Wechselr.
transient thermal impedance IGBT-inverter
Zúì = f (t)
t [s]
Z
0,001
0,01
0,1
1
10
0,001
0,01
0,1
1
Zúì : IGBT
i:
rí[K/W]:
í[s]:
τ
1
0,0085
0,01
2
0,0255
0,04
3
0,034
0,06
4
0,017
0,3
Sicherer Rückwrts-Arbeitsbereich IGBT-Wr. (RBSOA)
reverse bias safe operating area IGBT-inv. (RBSOA)
I = f (V)
V = ±15 V, Ró = 4,7 , TY = 125°C
V [V]
I
0
200
400
600
800 1000 1200 1400 1600 1800
700
600
500
400
300
200
100
0
I, Modul
I, Chip
Durchlasskennlinie der Diode-Wechselr. (typisch)
forward characteristic of diode-inverter (typical)
I = f (V)
V [V]
I
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
3,0
600
500
400
300
200
100
0
TY = 25°C
TY = 125°C
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FF300R17ME3 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 1.7KV 375A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FF300R17ME4 功能描述:IGBT 模塊 IGBT 1700V 300A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: