參數(shù)資料
型號(hào)： FDZ293P
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： P-Channel 2.5 V Specified PowerTrench BGA MOSFET
中文描述： 4.6 A, 20 V, 0.046 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： ULTRA THIN, BGA-9
文件頁數(shù)： 4/7頁
文件大?。?/td> 376K
代理商： FDZ293P
4
www.fairchildsemi.com
FDZ293P Rev. C
F
fi
e
Typical Characteristics
0
2
4
6
8
10
0
0.5
1
1.5
-V
DS
, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
-
D
,
-3.0V
-3.5V
-2.5V
-2.0V
V
GS
= -4.5V
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
2.2
2.4
2.6
0
2
4
6
8
-I
D
, DRAIN CURRENT (A)
R
D
,
D
V
GS
= -2.0V
-3.5V
-3.0V
-4.5V
-2.5V
Figure 1. On-Region Characteristics.
Figure 2. On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage.
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
1.3
1.4
1.5
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
°
C)
R
D
,
I
D
= -4.6A
V
GS
= -4.5V
0.03
0.06
0.09
0.12
0.15
0.18
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
-V
GS
, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
R
D
,
I
D
= -2.3 A
T
A
= 125
°
C
T
A
= 25
°
C
Figure 3. On-Resistance Variation with
Temperature.
Figure 4. On-Resistance Variation with
Gate-to-Source Voltage.
0
2
4
6
8
10
0.5
1
1.5
2
2.5
-V
GS
, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
-
D
,
T
A
= 125
°
C
25
°
C
-55
°
C
V
DS
= -5V
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
0
0.2
-V
SD
, BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
0.4
0.6
0.8
1
1.2
-
S
,
T
A
= 125
°
C
25
-55
V
GS
= 0V
Figure 5. Transfer Characteristics.
Figure 6. Body Diode Forward Voltage Variation
with Source Current and Temperature.
°
C
°
C
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PDF描述
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FDZ294P 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:
FDZ295P 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:
FDZ298N 功能描述:MOSFET 20V/12V NCh MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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