參數資料
型號： FDZ2553NZ
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： Monolithic Common Drain N-Channel 2.5V Specified PowerTrench BGA MOSFET
中文描述： 9.6 A, 20 V, 0.014 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： ULTRA THIN, BGA-18
文件頁數： 4/6頁
文件大小： 155K
代理商： FDZ2553NZ
FDZ2553NZ Rev C (W)
Typical Characteristics
0
4
8
12
16
20
0
0.5
V
DS
, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
1
1.5
2
I
D
,
1.5V
3.5V
2.5V
2.0V
V
GS
=4.5V
1
1.25
1.5
1.75
2
0
4
8
12
16
20
I
D
, DRAIN CURRENT (A)
R
D
,
D
V
GS
= 2.5V
3.5V
3.0V
4.0V
4.5V
Figure 1. On-Region Characteristics.
Figure 2. On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage.
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
o
C)
R
D
,
I
D
= 9.6A
V
GS
= 10V
0.005
0.015
0.025
0.035
0
2
4
6
8
10
V
GS
, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
R
D
,
I
D
=4.8 A
T
A
= 125
o
C
T
A
= 25
o
C
Figure 3. On-Resistance Variation with
Temperature.
Figure 4. On-Resistance Variation with
Gate-to-Source Voltage.
0
4
8
12
16
20
0.5
1
1.5
2
2.5
V
GS
, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
,
T
A
= 125
o
C
25
o
C
-55
o
C
V
DS
= 5V
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
V
SD
, BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
I
S
,
T
A
= 125
o
C
25
o
C
-55
o
C
V
GS
= 0V
Figure 5. Transfer Characteristics.
Figure 6. Body Diode Forward Voltage Variation
with Source Current and Temperature.
F
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PDF描述
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