型號(hào): | FDZ2553N |
廠商: | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
元件分類: | JFETs |
英文描述: | Monolithic Common Drain N-Channel 2.5V Specified PowerTrench |
中文描述: | 9.6 A, 20 V, 0.014 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
封裝: | ULTRA THIN, BGA-18 |
文件頁數(shù): | 5/6頁 |
文件大?。?/td> | 199K |
代理商: | FDZ2553N |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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FDZ2554PZ | Monolithic Common Drain P-Channel 2.5V Specified PowerTrench BGA MOSFET |
FDZ2554P | Monolithic Common Drain P-Channel 2.5V Specified PowerTrench |
FDZ291P | P-Channel 1.5 V Specified PowerTrench BGA MOSFET |
FDZ293P | P-Channel 2.5 V Specified PowerTrench BGA MOSFET |
FDZ294N | N-Channel 2.5 V Specified PowerTrench BGA MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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FDZ2553N_Q | 功能描述:MOSFET 20V/12V NCh MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
FDZ2553NZ | 功能描述:MOSFET 20V/12V NCh Monolith Common Drain BGa RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
FDZ2553NZ_Q | 功能描述:MOSFET 20V/12V NCh Monolith Common Drain BGa RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
FDZ2554P | 功能描述:MOSFET 20V/12V PCh Monolith Common Drain BGa RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
FDZ2554P_07 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Monolithic Common Drain P-Channel 2.5V Specified PowerTrench BGA MOSFET |