參數(shù)資料
型號： FDZ2553N
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： Monolithic Common Drain N-Channel 2.5V Specified PowerTrench
中文描述： 9.6 A, 20 V, 0.014 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： ULTRA THIN, BGA-18
文件頁數(shù)： 3/6頁
文件大?。?/td> 199K
代理商： FDZ2553N
FDZ2553N Rev D2 (W)
Dimensional Outline and Pad Layout
F
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FDZ2554PZ Monolithic Common Drain P-Channel 2.5V Specified PowerTrench BGA MOSFET
FDZ2554P Monolithic Common Drain P-Channel 2.5V Specified PowerTrench
FDZ291P P-Channel 1.5 V Specified PowerTrench BGA MOSFET
FDZ293P P-Channel 2.5 V Specified PowerTrench BGA MOSFET
FDZ294N N-Channel 2.5 V Specified PowerTrench BGA MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FDZ2553N_Q 功能描述:MOSFET 20V/12V NCh MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDZ2553NZ 功能描述:MOSFET 20V/12V NCh Monolith Common Drain BGa RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDZ2553NZ_Q 功能描述:MOSFET 20V/12V NCh Monolith Common Drain BGa RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDZ2554P 功能描述:MOSFET 20V/12V PCh Monolith Common Drain BGa RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDZ2554P_07 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Monolithic Common Drain P-Channel 2.5V Specified PowerTrench BGA MOSFET
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