參數(shù)資料
型號： FDW9926A
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET
中文描述： 4500 mA, 20 V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： TSSOP-8
文件頁數(shù)： 3/5頁
文件大?。?/td> 120K
代理商： FDW9926A
FDW9926NZ Rev. D(W)
Typical Characteristics
0
5
10
15
20
25
30
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
V
DS
, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
,
3.5V
2.5V
2.0V
V
GS
= 4.5V
3.0V
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
2.2
0
5
10
I
D
, DRAIN CURRENT (A)
15
20
25
30
R
D
,
D
V
GS
= 2.0V
3.5V
3.0V
4.5V
2.5V
4.0V
Figure 1. On-Region Characteristics.
Figure 2. On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate voltage.
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
-50
-25
0
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
o
C)
25
50
75
100
125
150
R
D
,
I
D
= 4.5A
V
GS
= 4.5V
0.01
0.03
0.05
0.07
0.09
0
2
6
8
10
V
GS
, GATE 4
R
D
,
I
D
= 2.25A
T
A
= 125
o
C
T
A
= 25
o
C
Figure 3. On-Resistance Variation with
temperature.
Figure 4. On-Resistance Variation with
Gate-to-Source Voltage.
0
5
10
15
20
25
30
0
1
2
3
4
V
GS
, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
,
T
A
= -55
o
C
25
o
C
125
o
C
V
DS
= 5V
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
V
SD
, BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
I
S
,
T
A
= 125
o
C
25
o
C
-55
o
C
V
GS
= 0V
Figure 5. Transfer Characteristics.
Figure 6. Body Diode Forward Voltage Variation
with Source Current and Temperature.
F
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PDF描述
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FD-WG4-M3T 制造商:Panasonic Electric Works 功能描述:
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