參數(shù)資料
型號(hào)： FDW2601NZ
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET
中文描述： 8.2 A, 30 V, 0.015 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： TSSOP-8
文件頁(yè)數(shù)： 4/11頁(yè)
文件大?。?/td> 270K
代理商： FDW2601NZ
FDW2601NZ Rev. A
www.fairchildsemi.com
F
4
Typical Characteristic
T
A
= 25
°
C unless otherwise noted
Figure 1. Normalized Power Dissipation vs
Ambient Temperature
Figure 2. Maximum Continuous Drain Current vs
Ambient Temperature
Figure 3. Normalized Maximum Transient Thermal Impedance
Figure 4. Peak Current Capability
T
A
, AMBIENT TEMPERATURE (
o
C)
P
0
0
25
50
75
100
150
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
125
0
2
4
6
8
10
25
50
75
100
125
150
I
T
A
, AMBIENT TEMPERATURE (
o
C)
V
GS
= 4.5V
V
GS
= 2.5V
0.01
0.1
1
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
2
10
-5
t, RECTANGULAR PULSE DURATION (s)
Z
θ
J
T
NOTES:
DUTY FACTOR: D = t
1
/t
PEAK T
J
= P
DM
x Z
θ
JA
x R
θ
JA
+ T
A
P
DM
t
1
t
2
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.5
I
D
,
t, PULSE WIDTH (s)
10
100
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
500
5
T
A
= 25
o
C
FOR TEMPERATURES
ABOVE 25
C DERATE PEAK
CURRENT AS FOLLOWS:
I = I
25
150 - T
A
125
TRANSCONDUCTANCE
IN THIS REGION
V
GS
= 2.5V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FDW262P 20V P-Channel PowerTrench MOSFET
FDW264P P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET
FDW6923 P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET with Schottky Diode
FDW9926NZ Common Drain N-Channel 2.5V specified PowerTrench MOSFET
FDW9926 Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET
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參數(shù)描述
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FDW262P_Q 功能描述:MOSFET 20V PCh MOSFET Power Trench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDW264P 功能描述:MOSFET P-Ch 2.5V Spec PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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