參數(shù)資料
型號： FDW2521C
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： Complementary PowerTrench MOSFET
中文描述： 5500 mA, 20 V, 2 CHANNEL, N AND P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, MO-153AA
封裝： TSSOP-8
文件頁數(shù)： 7/8頁
文件大?。?/td> 149K
代理商： FDW2521C
FDW2521C Rev D(W)
Typical Characteristics: Q2
0
1
2
3
4
5
0
3
6
9
12
Q
g
, GATE CHARGE (nC)
I
D
= -3.8A
V
DS
= -5V
-10V
-15V
0
300
600
900
1200
1500
1800
0
5
10
15
20
-V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
C
ISS
C
RSS
C
OSS
f = 1MHz
V
GS
= 0 V
Figure 17. Gate Charge Characteristics.
Figure 18. Capacitance Characteristics.
0.01
0.1
1
10
100
0.01
0.1
1
10
100
V
DS
, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
,
DC
10s
1s
100ms
100
μ
s
R
DS(ON)
LIMIT
V
GS
= -4.5V
SINGLE PULSE
R
θ
JA
= 250
o
C/W
T
A
= 25
o
C
10ms
1ms
0
5
10
15
20
0.01
0.1
1
10
100
t
1
, TIME (sec)
P
SINGLE PULSE
R
θ
JA
= 250°C/W
T
A
= 25°C
Figure 19. Maximum Safe Operating Area.
Figure 20. Single Pulse Maximum
Power Dissipation.
0.001
0.01
0.1
1
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
t
1
, TIME (sec)
r
T
R
θ
JA
(t) = r(t) + R
θ
JA
R
θ
JA
= 250 °C/W
T
J
- T
A
= P * R
θ
JA
(t)
Duty Cycle, D = t
1
/ t
2
P(pk)
t
1
t
2
SINGLE PULSE
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
D = 0.5
Figure 21. Transient Thermal Response Curve.
Thermal characterization performed using the conditions described in Note 1b.
Transient thermal response will change depending on the circuit board design.
F
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PDF描述
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FDW254P 功能描述:MOSFET TSSOP-8 P-CH 1.8V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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