參數(shù)資料
型號： FDW2521C
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： Complementary PowerTrench MOSFET
中文描述： 5500 mA, 20 V, 2 CHANNEL, N AND P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, MO-153AA
封裝： TSSOP-8
文件頁數(shù)： 3/8頁
文件大?。?/td> 149K
代理商： FDW2521C
FDW2521C Rev D(W)
Electrical Characteristics
(continued)
Symbol
Parameter
Drain-Source Diode Characteristics and Maximum Ratings
I
S
Maximum Continuous Drain-Source Diode Forward Current
T
A
= 25°C unless otherwise noted
Test Conditions
Type
Min
Typ Max Units
Q1
Q2
Q1
Q2
0.83
–0.83
1.2
–1.2
A
V
V
SD
Drain-Source Diode Forward
Voltage
V
GS
= 0 V, I
S
= 0.83 A
(Note 2)
V
GS
= 0 V, I
S
= –0.83 A
(Note 2)
0.7
–0.7
Notes:
1.
R
θ
JA
is the sum of the junction-to-case and case-to-ambient thermal resistance where the case thermal reference is defined as the solder mounting surface of
the drain pins. R
θ
JC
is guaranteed by design while R
θ
CA
is determined by the user's board design.
a) R
θ
JA
is 125
°
C/W (steady state) when mounted on a 1 inch2 copper pad on FR-4.
b) R
θ
JA
is 208
°
C/W (steady state) when mounted on a minimum copper pad on FR-4.
2.
Pulse Test: Pulse Width < 300
μ
s, Duty Cycle < 2.0%
F
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