參數(shù)資料
型號(hào)： FDW2521C
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： Complementary PowerTrench MOSFET
中文描述： 5500 mA, 20 V, 2 CHANNEL, N AND P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, MO-153AA
封裝： TSSOP-8
文件頁(yè)數(shù)： 2/8頁(yè)
文件大小： 149K
代理商： FDW2521C
FDW2521C Rev D(W)
Electrical Characteristics
Symbol
Parameter
T
A
= 25°C unless otherwise noted
Test Conditions
Type Min
Typ Max Units
Off Characteristics
BV
DSS
Drain-Source Breakdown
Voltage
BV
DSS
T
J
Temperature Coefficient
I
DSS
Zero Gate Voltage Drain
Current
I
GSS
Gate-Body Leakage
V
GS
= 0 V, I
D
= 250 μA
V
GS
= 0 V, I
D
= –250 μA
I
D
= 250 μA, Referenced to 25
°
C
I
D
= –250 μA, Referenced to 25
°
C
V
DS
= 16 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= –16 V, V
GS
= 0 V
V
GS
= +12 V, V
DS
= 0 V
V
GS
= +12 V, V
DS
= 0 V
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
20
–20
V
Breakdown Voltage
14
–16
mV/
°
C
μ
A
nA
1
–1
+100
+100
On Characteristics
V
GS(th)
(Note 2)
Gate Threshold Voltage
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 μA
V
DS
= V
GS
, I
D
= –250 μA
I
D
= 250 μA, Referenced to 25
°
C
I
D
= –250 μA, Referenced to 25
°
C
V
GS
= 4.5 V, I
D
= 5.5 A
V
GS
= 2.5 V, I
D
= 4.2 A
V
GS
= 4.5 V, I
D
= 5.5 A, T
J
= 125
°
C
V
GS
= –4.5 V, I
D
= –3.8 A
V
GS
= –2.5 V, I
D
= –3.0 A
V
GS
= –4.5 V, I
D
= –3.8 A, T
J
= 125
°
C
V
GS
= 4.5 V, V
DS
= 5 V
V
GS
= –4.5 V, V
DS
= –5 V
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
0.6
–0.6
0.8
–1.0
–3.2
3.0
17
24
23
36
56
49
1.5
–1.5
V
V
GS(th)
T
J
R
DS(on)
Gate Threshold Voltage
Temperature Coefficient
Static Drain-Source
On-Resistance
mV/
°
C
m
21
35
34
43
70
69
I
D(on)
On-State Drain Current
Q1
Q2
Q1
Q2
30
–15
A
S
g
FS
Forward Transconductance V
DS
= 5 V, I
D
= 5.5 A
V
DS
= –5 V, I
D
= –3.5 A
26
13.2
Dynamic Characteristics
C
iss
Input Capacitance
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
1082
1030
277
280
130
120
pF
pF
pF
C
oss
Output Capacitance
C
rss
Reverse Transfer
Capacitance
Q1:
V
DS
= 10 V, V
GS
= 0 V,
f = 1.0 MHz
Q2:
V
DS
= –10 V, V
GS
= 0 V,
f = 1.0 MHz
Switching Characteristics
t
d(on)
Turn-On Delay Time
t
r
Turn-On Rise Time
t
d(off)
Turn-Off Delay Time
t
f
Turn-Off Fall Time
Q
g
Total Gate Charge
Q
gs
Gate-Source Charge
Q
gd
Gate-Drain Charge
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
8
11
8
18
24
34
8
34
12
9.7
2
2.2
3
2.4
20
20
27
32
38
55
16
55
17
16
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
Q1:
V
DD
= 10 V, I
D
= 1 A,
V
= 4.5 V, R
GEN
= 6
Q2:
V
DD
= –5 V, I
D
= –1 A,
V
GS
= –4.5V, R
GEN
= 6
Q1:
V
DS
= 10 V, I
D
= 5.5 A, V
GS
= 4.5 V
Q2:
V
DS
= –5 V, I
D
= –3.8 A,V
GS
= –4.5 V
F
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