參數(shù)資料
型號: FDW2521C
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: Complementary PowerTrench MOSFET
中文描述: 5500 mA, 20 V, 2 CHANNEL, N AND P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, MO-153AA
封裝: TSSOP-8
文件頁數(shù): 5/8頁
文件大?。?/td> 149K
代理商: FDW2521C
FDW2521C Rev D(W)
Typical Characteristics: Q1
0
1
2
3
4
5
0
2
4
6
8
10
12
14
Q
g
, GATE CHARGE (nC)
V
G
,
I
D
= 5.5A
V
DS
= 5V
15V
10V
0
300
600
900
1200
1500
1800
0
4
8
12
16
20
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
C
C
ISS
C
RSS
C
OSS
f = 1MHz
V
GS
= 0 V
Figure 7. Gate Charge Characteristics.
Figure 8. Capacitance Characteristics.
0.01
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
V
DS
, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
,
DC
10s
1s
100ms
R
DS(ON)
LIMIT
V
GS
= 4.5V
SINGLE PULSE
R
θ
JA
= 250
o
C/W
T
A
= 25
o
C
10ms
1ms
0
0.001
10
20
30
40
50
0.01
0.1
1
10
100
1000
t
1
, TIME (sec)
P
SINGLE PULSE
R
θ
JA
= 250°C/W
T
A
= 25°C
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.
Figure 10. Single Pulse Maximum
Power Dissipation.
F
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FDW252P_Q 功能描述:MOSFET TSSOP-8 P-CH 2.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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