參數(shù)資料
型號： FDS6912
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： Dual N-Channel Logic Level PWM Optimized PowerTrench MOSFET
中文描述： 6 A, 30 V, 0.028 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： SOIC-8
文件頁數(shù)： 4/8頁
文件大小： 219K
代理商： FDS6912
FDS6912 Rev E (W)
Typical Characteristics (continued)
0
2
4
6
8
10
0
4
8
12
16
Q
g
, GATE CHARGE (nC)
I
D
= 6.3A
V
DS
= 5V
10V
15V
DS
C ss
f = 1 MHz
V = 0V
C ss
C ss
Figure 7. Gate Charge Characteristics.
Figure 8. Capacitance Characteristics.
0.1
0.2
0.5
V , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
1
2
5
10
20
0.01
0.05
0.5
2
10
20
100
I
D
1s
100ms
10s
DC
10ms
RDS(ON) LIMIT
1ms
100us
V = 10V
SINGLE PULSE
R = 135 °C/W
T = 25°C
SINGLE PULSE
R = 135°C/W
T = 25°
30
25
20
15
10
5
00.01 0.1
1
10
100 1000
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.
Figure 10. Single Pulse Maximum
Power Dissipation.
0.0001
0.001
0.01
0.1
t , TIME (sec)
1
10
100
300
0.001
0.002
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1
T
r
Single Pulse
D = 0.5
0.1
0.05
0.02
0.01
0.2
Duty Cycle, D = t /t
2
R (t) = r(t) * R
R = 135°C/W
T - T = P * R JA
P(pk)
t
1
t
2
Figure 11. Transient Thermal Response Curve.
Thermal characterization performed using the conditions described in Note 1c.
Transient thermal response will change depending on the circuit board design.
F
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