參數(shù)資料
型號： FDS6912
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： Dual N-Channel Logic Level PWM Optimized PowerTrench MOSFET
中文描述： 6 A, 30 V, 0.028 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： SOIC-8
文件頁數(shù)： 3/8頁
文件大小： 219K
代理商： FDS6912
FDS6912 Rev E (W)
Typical Characteristics
0
1
1
2
2
3
3
0
6
12
18
24
30
V , D RAIN-SOUR CE VOLTAGE (V)
I
3.0V
4.0V
4.5V
D
V = 10V
5.0V
6.0V
3.5V
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
0
10
20
30
40
50
I
D
, DRAIN CURRENT (A)
V
GS
= 4.0V
6.0V
5.0V
4.5V
7.0V
10V
Figure 1. On-Region Characteristics.
Figure 2. On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage.
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
1.4
1.5
1.6
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
D
V =10V
I = 6.3A
R
D
R
)
D
I = 3.0A
T = 125 C
25 C
o
o
2
4
6
8
10
1
2
3
4
5
6
7
8
V ,GATE-SOURCE VOLTAGE (V)
D
Figure 3. On-Resistance Variation
withTemperature.
Figure 4. On-Resistance Variation with
Gate-to-Source Voltage.
1
2
V , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
3
4
5
0
5
10
15
20
I
D
25°C
125°C
V = 5V
T = -55°C
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
0
0.4
0.8
1.2
1.6
V
SD
, BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
T
A
= 125
o
C
25
o
C
-55
o
C
V
GS
= 0V
Figure 5. Transfer Characteristics.
Figure 6. Body Diode Forward Voltage Variation
with Source Current and Temperature.
F
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PDF描述
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