參數(shù)資料
型號： FDS6900S
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： Dual N-Ch PowerTrench SyncFet⑩
中文描述： 6.9 A, 30 V, 0.03 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： SO-8
文件頁數(shù)： 4/9頁
文件大小： 154K
代理商： FDS6900S
FDS6900S Rev C (W)
Typical Characteristics: Q2
0
10
20
30
40
50
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
V
DS
, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
,
4.5V
3.5V
V
GS
= 10V
4.0V
6.0V
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
2.2
2.4
2.6
2.8
0
10
20
30
40
50
I
D
, DRAIN CURRENT (A)
R
D
,
D
V
GS
= 3.5V
6.0V
10V
4.5V
4.0V
5.0V
Figure 1. On-Region Characteristics.
Figure 2. On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage.
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
o
C)
R
D
,
I
D
= 8.2A
V
GS
= 10V
0.01
0.02
0.03
0.04
0.05
0.06
2
4
6
8
10
V
GS
, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
R
D
,
I
D
= 4A
T
A
= 125
o
C
T
A
= 25
o
C
Figure 3. On-Resistance Variation with
Temperature.
Figure 4. On-Resistance Variation with
Gate-to-Source Voltage.
0
5
10
15
20
25
30
35
40
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
V
GS
, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
,
T
A
= -55
o
C
25
o
C
125
o
C
V
DS
= 5V
0.001
0.01
0.1
1
10
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
V
SD
, BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
I
S
,
T
A
= 125
o
C
25
o
C
-55
o
C
V
GS
= 0V
Figure 5. Transfer Characteristics.
Figure 6. Body Diode Forward Voltage Variation
with Source Current and Temperature.
F
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PDF描述
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