參數(shù)資料
型號(hào)： FDS6900AS
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： Dual N-Ch PowerTrench SyncFET
中文描述： 8200 mA, 30 V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： SO-8
文件頁(yè)數(shù)： 6/10頁(yè)
文件大?。?/td> 183K
代理商： FDS6900AS
FDS6900AS Rev
B
(X)
Typical Characteristics Q1
0
4
8
12
16
20
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
,
V
GS
= 10V
6.0V
3.0V
3.5V
4.5V
2.5V
4.0V
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
2.2
0
4
12
16
20
I
D
, D8
R
D
,
D
V
GS
= 3.0V
4.5V
6.0V
4.0V
10V
3.5V
5.0V
Figure 12. On-Region Characteristics.
Figure 13. On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage.
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
o
C)
R
D
,
I
D
= 6.9A
V
GS
= 10V
0.02
0.03
0.04
0.05
0.06
0.07
2
4
6
8
10
V
GS
, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
R
D
,
I
D
= 3.5A
T
A
= 125
o
C
T
A
= 25
o
C
Figure 14. On-Resistance Variation with
Temperature.
Figure 15. On-Resistance Variation with
Gate-to-Source Voltage.
0
4
8
12
16
20
1
1.5
2.5
3
3.5
4
V
GS
, G2
I
D
,
T
A
= 125
o
C
25
o
C
-55
o
C
V
DS
= 5V
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
0
0.2
V
SD
,
BOD0.4
0.6
0.8
1
1.2
I
S
,
V
GS
= 0V
T
A
= 125
o
C
25
o
C
-55
o
C
Figure 16. Transfer Characteristics.
Figure 17. Body Diode Forward Voltage Variation
with Source Current and Temperature.
F
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PDF描述
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