參數(shù)資料
型號(hào)： FDS6690AS
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類(lèi)： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 30V N-Channel PowerTrench SyncFET
中文描述： 10000 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： SO-8
文件頁(yè)數(shù)： 3/8頁(yè)
文件大?。?/td> 203K
代理商： FDS6690AS
FDS6690 Rev.C
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
0
10
20
30
40
50
V , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
V = 10V
3.5V
5.0V
4.5V
4.0V
6.0V
Typical Electrical Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics
.
Figure 2. On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate
Voltage
.
-50
-25
0
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
25
50
75
100
125
150
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
D
V = 10 V
I = 10 A
R
D
Figure 3. On-Resistance Variation with
Temperature
.
2
3
4
5
0
10
20
30
40
50
V , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
25°C
125°C
V = 5V
DS
A
Figure 5 . Transfer Characteristics.
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
50
V , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
I
S
A
25°C
-55°C
V = 0V
Figure 6 . Body Diode Forward Voltage
Variation with Source Current
and Temperature.
Figure 4 . On Resistance
Variation with
Gate-to-Source Voltage.
2
4
6
8
10
0
0.01
0.02
0.03
0.04
0.05
V , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
R
D
T = 25°C
I = 5A
T = 125°C
A
0
10
20
30
40
50
0.5
1
1.5
2
2.5
3
I , DRAIN CURRENT (A)
D
V = 3.5V
10V
4.0V
4.5V
5.5V
7.0V
R
D
)
5.0V
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PDF描述
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