參數(shù)資料
型號(hào)： FDS6680S
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： 30V N-Channel PowerTrench SyncFET⑩
中文描述： 0.011 ohm, Si, POWER, FET
封裝： SOIC-8
文件頁數(shù)： 8/9頁
文件大?。?/td> 222K
代理商： FDS6680S
SOIC-8 (FS PKG Code S1)
1 : 1
Scale 1:1 on letter size paper
Dimensions shown below are in:
inches [millimeters]
Part Weight per unit (gram): 0.0774
SO-8 Tape and Reel Data and Package Dimensions, continued
September 1998, Rev. A
9
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FDS6681Z 30 Volt P-Channel PowerTrench MOSFET
FDS6682 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
FDS6685 P-Channel Logic Level PowerTrenchTM MOSFET
FDS6688S 30V N-Channel PowerTrench SyncFET
FDS6688 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
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參數(shù)描述
FDS6680S 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N SO-8
FDS6680S_D84Z 功能描述:MOSFET 30V N-Ch PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDS6681Z 功能描述:MOSFET 30V P-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDS6681Z 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET
FDS6681Z_G 制造商:Fairchild 功能描述:30V P-Channel PowerTrench? MOSFET
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