參數(shù)資料
型號(hào)： FDS2670
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 200V N-Channel PowerTrench MOSFET
中文描述： 3000 mA, 200 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： SOIC-8
文件頁數(shù)： 4/8頁
文件大小： 339K
代理商： FDS2670
FDS2670 Rev B(W)
Typical Characteristics
0
3
6
9
12
15
0
5
10
15
20
25
30
35
40
Q
g
, GATE CHARGE (nC)
I
D
= 3.0 A
V
DS
= 40V
100 V
70
0
500
1000
1500
2000
0
20
40
60
80
100
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
C
ISS
C
RSS
C
OSS
f = 1MHz
V
GS
= 0 V
Figure 7. Gate Charge Characteristics.
Figure 8. Capacitance Characteristics.
0.001
0.01
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
1000
I
D
,
DC
10s
1s
100ms
100
μ
s
R
DS(ON)
LIMIT
V
GS
= 10V
SINGLE PULSE
R
θ
JA
= 125
o
C/W
T
A
= 25
o
C
10ms
0
0.001
20
40
60
80
100
0.01
0.1
1
10
100
1000
t
1
, TIME (sec)
SINGLE PULSE
R
θ
JA
= 125°C/W
T
A
= 25°C
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.
Figure 10. Single Pulse Maximum
Power Dissipation.
0.01
0.1
1
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
t
1
, TIME (sec)
R
θ
JA
(t) = r(t) + R
θ
JA
R
θ
JA
= 125°C/W
T
J
- T
A
= P * R
θ
JA
(t)
Duty Cycle, D = t
1
/ t
2
P(pk)
t
1
t
2
SINGLE PULSE
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
D = 0.5
Figure 11. Transient Thermal Response Curve.
Thermal characterization performed using the conditions described in Note 1c.
Transient thermal response will change depending on the circuit board design.
F
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PDF描述
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FDS3570 80V N-Channel PowerTrench⑩ MOSFET
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參數(shù)描述
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FDS2672 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:N CHANNEL MOSFET
FDS2672_10 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel UltraFET Trench?? MOSFET
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