參數(shù)資料
型號(hào)： FDS2670
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 200V N-Channel PowerTrench MOSFET
中文描述： 3000 mA, 200 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： SOIC-8
文件頁(yè)數(shù)： 3/8頁(yè)
文件大?。?/td> 339K
代理商： FDS2670
FDS2670 Rev B(W)
Typical Characteristics
0
5
10
15
20
0
2
4
6
8
10
V
DS
, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
6.0V
6.5V
5.5V
V
GS
= 10V
0.8
1
1.2
1.4
1.6
0
4
8
12
16
20
I
D
, DRAIN CURRENT (A)
V
GS
= 5.5V
6.0V
10.0V
6.5V
Figure 1. On-Region Characteristics.
Figure 2. On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage.
0
0.5
1
1.5
2
2.5
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
o
C)
I
D
= 3.0A
V
GS
= 10V
0
0.1
0.2
0.3
0.4
4
5
6
7
8
9
10
V
GS
, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
= 1.5 A
T
A
= 125
o
C
T
A
= 25
o
C
Figure 3. On-Resistance Variation with
Temperature.
Figure 4. On-Resistance Variation with
Gate-to-Source Voltage.
0
6
12
18
24
30
3
4
5
6
7
8
V
GS
, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
T
A
= 125
o
C
25
o
C
-55
o
C
V
DS
= 15V
0.001
0.01
0.1
1
10
100
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
V
SD
, BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
T
A
= 125
o
C
25
o
C
-55
o
C
V
GS
= 0V
Figure 5. Transfer Characteristics.
Figure 6. Body Diode Forward Voltage Variation
with Source Current and Temperature.
F
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PDF描述
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