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參數(shù)資料
| 型號： | FDR856P |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| 中文描述： | 5100 mA, 30 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 封裝： | SUPERSOT-8 |
| 文件頁數(shù)： | 7/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 223K |
| 代理商： | FDR856P |
SuperSOT
-8 (FS PKG Code 34, 35)
1 : 1
Scale 1:1 on letter size paper
Dimensions shown below are in:
inches [millimeters]
Part Weight per unit (gram): 0.0416
SuperSOT
TM
-8 Tape and Reel Data and Package Dimensions, continued
September 1998, Rev. A
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDR858P | Single P-Channel, Logic Level, PowerTrenchTM MOSFET |
| FDR8702H | 20V N & P-Channel PowerTrench MOSFET |
| FDS2070N7 | 150V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| FDS2070N3 | 150V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| FDS2170N3 | 200V N-Channel PowerTrench剖 MOSFET |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| FDR858P | 功能描述:MOSFET SSOT-8 P-CH -30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDR858P | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET P SUPERSOT-8 |
| FDR8702H | 功能描述:MOSFET N & PCh PowerTrench 20V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDRH20 | 制造商:TOKO 制造商全稱:TOKO, Inc 功能描述:Radial Type Fixed Inductor |
| FDRH2076-470M | 制造商:TOKO 制造商全稱:TOKO, Inc 功能描述:Radial Type Fixed Inductor |
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