參數(shù)資料
型號： FDR856P
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
中文描述： 5100 mA, 30 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： SUPERSOT-8
文件頁數(shù)： 3/8頁
文件大小： 223K
代理商： FDR856P
FDR856P Rev.B
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
0
5
10
15
20
25
30
-V , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
-
D
-4.5V
-2.5V
-4.0V
-5.5V
-3.5V
-3.0V
V = -10V
Typical Electrical Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics
.
Figure 2. On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage
.
-50
-25
0
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
25
50
75
100
125
150
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
D
R
D
V = -10V
I = -6.3A
Figure 3. On-Resistance Variation with
Temperature
.
1
2
3
4
5
0
5
10
15
20
25
30
-V , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
-
V = -5V
D
J
125°C
25°C
Figure 5 . Transfer Characteristics.
Figure 6 . Body Diode Forward Voltage
Variation with Source
Current and Temperature.
2
4
6
8
10
0
0.025
0.05
0.075
0.1
0.125
-V , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
R
D
I = -3A
T = 125°C
T = 25°C
Figure 4 . On Resistance
Variation with
Gate-to-Source Voltage.
0
5
10
- I , DRAIN CURRENT (A)
15
20
25
30
0.5
1
1.5
2
2.5
D
V = -3.5 V
R
D
-10V
-4.5V
-4.0V
-7.0V
-5.0V
-5.5V
0
0.2
-V , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
0.4
0.6
0.8
1
1.2
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
5
40
-
S
25°C
-55°C
V = 0V
TJ
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PDF描述
FDR858P Single P-Channel, Logic Level, PowerTrenchTM MOSFET
FDR8702H 20V N & P-Channel PowerTrench MOSFET
FDS2070N7 150V N-Channel PowerTrench MOSFET
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參數(shù)描述
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