參數(shù)資料
型號： FDMS8690
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： N-Channel PowerTrench MOSFET
中文描述： 27 A, 100 V, 0.009 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： ROHS COMPLIANT, POWER 56, 8 PIN
文件頁數(shù)： 4/7頁
文件大?。?/td> 468K
代理商： FDMS8690
F
FDMS8690 Rev. B(W)
www.fairchildsemi.com
4
Figure 7. Gate Charge Characteri
0
5
10
15
20
0
2
4
6
8
10
V
DD
=20V
V
DD
=15V
V
DD
=10V
I
D
=14A
V
G
,
Q
g
,GATE CHARGE (nC)
stics
Figure 8. Capacitance Characteristics
0.1
1
10
10
100
1000
C
RSS
C
OSS
C
ISS
f = 1MHz
V
GS
= 0V
C
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
30
4000
Figure 9. Forward Bias Safe Operating Area
0.1
1
10
100
0.01
0.1
1
10
100
10us
100us
1ms
10ms
100ms
1s
D
,
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
SINGLE PULSE
T
J
= MAX RATED
T
A
=
25
o
C
OPERATION IN THIS
AREA MAY BE
LIMITED BY r
DS(on)
DC
200
Figure 10. Maximum Continuous Drain Current vs
Ambient Temperature
25
50
75
100
125
o
C
)
150
0
3
6
9
12
15
18
V
GS
=4.5V
V
GS
=10V
I
D
,
T
A
, AMBIENT TEMPERATURE
(
R
θ
JA
= 44
o
C/W
Figure 11. Single Pulse Maximum Power Dissipation
10
-4
10
-3
10
-2
10
t, PULSE WIDTH (s)
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
0.1
1
10
100
1000
P
(
,
V
GS
=10V
SINGLE PULSE
T
A
= 25
o
C
I = I
25
FOR TEMPERATURES
ABOVE 25
o
C DERATE PEAK
CURRENT AS FOLLOWS:
150
-------125
–
Typical Characteristics
T
J
= 25°C unless otherwise noted
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PDF描述
FDMS8692 N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET
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