參數(shù)資料
型號： FDMS2672
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： N-Channel UltraFET Trench MOSFET 200V, 20A, 77mohm
中文描述： 3.7 A, 200 V, 0.156 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： ROHS COMPLIANT, 8 PIN
文件頁數(shù)： 4/7頁
文件大?。?/td> 512K
代理商： FDMS2672
F
M
FDMS2672 Rev.C
www.fairchildsemi.com
4
Figure 7.
0
10
20
30
40
0
2
4
6
8
10
V
DD
= 150V
V
DD
= 50V
V
G
,
Q
g
, GATE CHARGE(nC)
V
DD
= 100V
Gate Charge Characteristics
Figure 8.
0.1
1
10
100
10
100
1000
f = 1MHz
V
GS
= 0V
C
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Capacitance vs Drain
to Source Voltage
C
rss
C
oss
C
iss
4000
Figure 9.
0.01
0.1
1
10
1
2
3
4
5
T
J
= 25
o
C
T
J
= 125
o
C
t
AV
, TIME IN AVALANCHE(ms)
I
A
,
Unclamped Inductive
Switching Capability
Figure 10.
Current vs Case Temperature
25
50
75
100
125
150
0
5
10
15
20
25
R
θ
JC
= 1.6
o
C/W
V
GS
= 6V
V
GS
= 10V
I
D
,
T
C
, CASE TEMPERATURE
(
o
C
)
Maximum Continuous Drain
Figure 11. Forward Bias Safe
Operating Area
0.1
1
10
100
1E-3
0.01
0.1
1
10
100us
1ms
10ms
100ms
1s
DC
D
,
V
DS
, DRAIN to SOURCE VOLTAGE (V)
60
OPERATION IN THIS
AREA MAY BE
LIMITED BY r
DS(on)
SINGLE PULSE
T
J
= MAX RATED
T
A
= 25
O
C
700
Figure 12.
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
1
10
100
1000
0.3
V
GS
= 10V
SINGLE PULSE
P
(
P
)
,
t, PULSE WIDTH (s)
2000
T
A
= 25
o
C
I = I
25
FOR TEMPERATURES
ABOVE 25
o
C DERATE PEAK
CURRENT AS FOLLOWS:
150
----------------------
T
A
–
Single Pulse Maximum
Power Dissipation
Typical Characteristics
T
J
= 25°C unless otherwise noted
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PDF描述
FDMS2734 N-Channel UltraFET Trench MOSFET 250V, 14A, 122mohm
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