參數(shù)資料
型號(hào)： FDMS2572_07
廠商： Fairchild Semiconductor Corporation
英文描述： N-Channel UltraFET Trench㈢ MOSFET 150V, 27A, 47mз
中文描述： N溝道UltraFET海溝㈢MOSFET的為150V，27A條，47mз
文件頁數(shù)： 4/7頁
文件大?。?/td> 517K
代理商： FDMS2572_07
F
M
FDMS2572 Rev.C2
www.fairchildsemi.com
4
Figure 7.
0
7
14
21
28
35
0
2
4
6
8
10
I
D
= 4.5A
V
DD
= 75V
V
DD
=50V
V
G
,
Q
g
, GATE CHARGE(nC)
V
DD
= 100V
Gate Charge Characteristics
Figure 8.
0.1
1
10
100
10
100
1000
f = 1MHz
V
GS
= 0V
C
rss
C
oss
C
iss
C
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
3000
Capacitance vs Drain
to Source Voltage
Figure 9.
0.01
0.1
t
AV
, TIME IN AVALANCHE(ms)
1
10
1
2
3
4
5
6
T
J
= 25
o
C
T
J
= 125
o
C
I
A
,
50
Unclamped Inductive
Switching Capability
Figure 10.
Current vs Ambient Temperature
25
50
75
100
125
150
0
1
2
3
4
5
6
R
θ
JA
= 50
o
C/W
I
D
,
T
A
, AMBIENT TEMPERATURE
(
o
C
)
V
GS
= 6V
V
GS
= 10V
Maximum Continuous Drain
Figure 11. Forward Bias Safe
Operating Area
0.1
1
10
100
1E-3
0.01
0.1
1
10
600
10s
DC
1s
100ms
10ms
1ms
100us
SINGLE PULSE
T
J
= MAX RATED
T
A
= 25
O
C
OPERATION IN THIS
AREA MAY BE
LIMITED BY r
DS(on)
D
,
VDS, DRAIN to SOURCE VOLTAGE (V)
60
Figure 12.
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
1
10
100
1000
0.5
V
GS
= 10V
SINGLE PULSE
P
(
P
)
,
t, PULSE WIDTH (s)
2000
T
A
= 25
o
C
I = I
25
FOR TEMPERATURES
ABOVE 25
o
C DERATE PEAK
CURRENT AS FOLLOWS:
150
----------------------
T
A
–
Single Pulse Maximum
Power Dissipation
Typical Characteristics
T
J
= 25°C unless otherwise noted
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