參數(shù)資料
型號： FDMA291P
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： Single P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET
中文描述： 6600 mA, 20 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： 2 X 2 MM, 0.80 MM HEIGHT, HALOGEN FREE, ROHS COMPLIANT, MO-229, MICROFET-6
文件頁數(shù)： 4/6頁
文件大?。?/td> 132K
代理商： FDMA291P
FDMA291P Rev B (W)
Typical Characteristics
0
2
4
6
8
10
0
4
8
12
16
20
24
Q
g
, GATE CHARGE (nC)
-
G
,
I
D
= -6.6A
V
DS
= -5V
-10V
-15V
0
400
800
1200
1600
0
4
8
12
16
20
-V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
C
C
iss
C
rss
C
oss
f = 1MHz
V
GS
= 0 V
Figure 7. Gate Charge Characteristics.
Figure 8. Capacitance Characteristics.
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
0.01
0.1
1
10
100
1000
-V
DS
, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
-
D
,
DC
10s1s
100ms
R
DS(ON)
LIMIT
V
GS
= -10V
SINGLE PULSE
R
θ
JA
= 145
o
C/W
T
A
= 25
o
C
10ms
1ms
100us
0
0.0001
20
40
60
80
100
0.001
0.01
0.1
t
1
, TIME (sec)
1
10
100
1000
P
SINGLE PULSE
R
θ
JA
= 145°C/W
T
A
= 25°C
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.
Figure 10. Single Pulse Maximum Power
Dissipation.
0.001
0.01
0.1
1
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
t
1
, TIME (sec)
r
T
R
θ
JA
(t) = r(t) * R
θ
JA
R
θ
JA
=145 °C/W
T
J
- T
A
= P * R
θ
JA
(t)
Duty Cycle, D = t
1
/ t
2
P(pk)
t
1
t
2
SINGLE PULSE
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
D = 0.5
Figure 11. Transient Thermal Response Curve.
Thermal characterization performed using the conditions described in Note 1b.
Transient thermal response will change depending on the circuit board design.
F
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PDF描述
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FDMA430NZ Single N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET
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FDMA3028N 功能描述:MOSFET 30V Dual N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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