參數(shù)資料
型號： FDMA291P
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： Single P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET
中文描述： 6600 mA, 20 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： 2 X 2 MM, 0.80 MM HEIGHT, HALOGEN FREE, ROHS COMPLIANT, MO-229, MICROFET-6
文件頁數(shù)： 3/6頁
文件大?。?/td> 132K
代理商： FDMA291P
FDMA291P Rev B (W)
Typical Characteristics
0
4
8
12
16
20
24
0
1
2
3
4
5
-V
DS
, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
-
D
,
-2.0V
-1.8V
V
GS
= -4.5V
-3.5V
-2.5V
-3.0V
-4.0V
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
2.2
2.4
2.6
0
4
8
12
16
20
24
-I
D
, DRAIN CURRENT (A)
R
D
,
D
V
GS
= -1.8V
-4.0V
-2.5V
-3.0V
-2.0V
-4.5V
-3.5V
Figure 1. On-Region Characteristics.
Figure 2. On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage.
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
C)
R
D
,
I
D
= -6.6A
V
GS
= -10V
0
0.03
0.06
0.09
0.12
0.15
0
2
-V
GS
, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
4
6
8
10
R
D
,
I
D
= -3.3A
T
A
= 125
o
C
T
A
= 25
o
C
Figure 3. On-Resistance Variation with
Temperature.
Figure 4. On-Resistance Variation with
Gate-to-Source Voltage.
0
4
8
12
16
20
24
0
1
2
3
4
-V
GS
, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
-
D
,
T
A
= -55
o
C
25
o
C
125
o
C
V
DS
= -10V
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
-V
SD
, BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
-
S
,
T
A
= 125
o
C
25
o
C
-55
o
C
V
GS
= 0V
Figure 5. Transfer Characteristics.
Figure 6. Body Diode Forward Voltage Variation
with Source Current and Temperature.
F
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PDF描述
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