參數(shù)資料
型號(hào)： FDFMA3N109
廠(chǎng)商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類(lèi)： 小信號(hào)晶體管
英文描述： Integrated N-Channel PowerTrench MOSFET and Schottky Diode
中文描述： 2900 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： 2 X 2 MM, 0.80 MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT, MICROFET-6
文件頁(yè)數(shù)： 5/7頁(yè)
文件大?。?/td> 129K
代理商： FDFMA3N109
FDFMA3N109 Rev B(W)
Typical Characteristics
0
2
4
6
8
10
0
1
2
Q
g
, GATE C3
4
5
6
V
G
,
I
D
= 2.9A
V
DS
= 10V
15V
20V
0
50
100
150
200
250
300
0
5
10
15
20
25
30
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
C
C
iss
C
rss
C
oss
f = 1MHz
V
GS
= 0 V
Figure 7. Gate Charge Characteristics.
Figure 8. Capacitance Characteristics.
0.001
0.01
0.1
1
10
0
0.1
0.2
V
F
, FORWARD VOLTAGE (V)
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
I
F
,
T
J
= 25
o
C
T
J
= 125
o
C
0.000001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
0
5
10
15
20
25
30
V
R
, REVERSE VOLTAGE (V)
I
R
,
T
J
= 25
o
C
T
J
= 125
o
C
T
J
= 100
o
C
Figure 9. Schottky Diode Forward Voltage.
Figure 10. Schottky Diode Reverse Current.
0.01
0.1
1
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
t
1
, TIME (sec)
r
T
R
θ
JA
(t) = r(t) * R
θ
JA
R
θ
JA
=193°C/W
T
J
- T
A
= P * R
θ
JA
(t)
Duty Cycle, D = t
1
/ t
2
P(pk)
t
1
t
2
SINGLE PULSE
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
D = 0.5
Figure 11. Transient Thermal Response Curve.
Thermal characterization performed using the conditions described in Note 1b.
Transient thermal response will change depending on the circuit board design.
F
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PDF描述
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