參數(shù)資料
型號(hào)： FDFMA3N109
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： Integrated N-Channel PowerTrench MOSFET and Schottky Diode
中文描述： 2900 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： 2 X 2 MM, 0.80 MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT, MICROFET-6
文件頁(yè)數(shù)： 4/7頁(yè)
文件大小： 129K
代理商： FDFMA3N109
FDFMA3N109 Rev B(W)
Typical Characteristics
0
2
4
6
8
10
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
V
DS
, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
,
2.5V
2.0V
V
GS
= 4.5V
3.5V
2.9V
1.5V
2.7V
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
0
2
6
8
10
I
D
, D4
R
D
,
D
V
GS
= 2.0V
4.0V
3.5V
4.5V
2.5V
2.9V
2.7V
Figure 1. On-Region Characteristics.
Figure 2. On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage.
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
C)
R
D
,
I
D
= 2.9A
V
GS
= 4.5V
0.04
0.08
0.12
0.16
0.2
0.24
0
2
6
8
10
V
GS
, GATE 4
R
D
,
I
D
= 1.45A
T
A
= 125
o
C
T
A
= 25
o
C
Figure 3. On-Resistance Variation with
Temperature.
Figure 4. On-Resistance Variation with
Gate-to-Source Voltage.
0
2
4
6
8
10
0.5
1
1.5
2
2.5
3
V
GS
, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
,
T
A
= -55
o
C
25
o
C
125
o
C
V
DS
= 5V
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
-V
SD
, BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
-
S
,
T
A
= 125
o
C
25
o
C
-55
o
C
V
GS
= 0V
Figure 5. Transfer Characteristics.
Figure 6. Body Diode Forward Voltage Variation
with Source Current and Temperature.
F
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PDF描述
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