參數(shù)資料
型號： FDD5612
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： 2MM SOCKET STRIPS
中文描述： 18 A, 60 V, 0.055 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252
封裝： DPAK-3
文件頁數(shù)： 2/5頁
文件大?。?/td> 147K
代理商： FDD5612
Electrical Characteristics
T
C
=25
o
C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min
Typ
Max
Units
Off Characteristics
BV
DSS
Drain-Source Breakdown Voltage
I
DSS
Zero Gate Voltage Drain Current
I
GSSF
Gate-Body Leakage, Forward
I
GSSR
Gate-Body Leakage, Reverse
V
GS
= 0 V, I
D
= 250
μ
A
V
DS
= 48 V, V
GS
= 0 V
V
GS
= 20 V, V
DS
= 0 V
V
GS
= -20 V, V
DS
= 0 V
60
V
μ
A
nA
nA
1
100
-100
On Characteristics
(Note 2)
V
GS(TH)
Gate Threshold Voltage
R
DS(ON)
Static Drain-Source
On-Resistance
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
μ
A
V
GS
= 10 V, I
D
= 6 A
V
GS
= 6 V, I
D
= 5.6 A
1
3
V
0.055
0.064
Drain-Source Diode Characteristics and Maximum Ratings
I
S
Maximum Continuous Drain-Source Diode Forward Current
(Note 1)
V
SD
Drain-Source Diode Forward
Voltage
19
1.2
A
V
V
GS
= 0 V, I
S
= 2.7 A
(Note 2)
θ
θ
θ
θ
! "
≤
#$$
μ
%&'
≤
($)
*
θ
((
+,$ '-"
*
θ
+./ '-"
((
$$0/
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FDD5614 60V P-Channel PowerTrench MOSFET
FDD5614P 60V P-Channel PowerTrench MOSFET
FDD5670 60V N-Channel PowerTrenchTM MOSFET
FDD5680 N-Channel, PowerTrench⑩ MOSFET
FDD5690 60V N-Channel PowerTrench⑩ MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FDD5614 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:60V P-Channel PowerTrench MOSFET
FDD5614P 功能描述:MOSFET 60V P-Ch PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDD5614P 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:DPAK SINGLE PCH:ROHS COMPLIANT
FDD5614P 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET P D-PAK
FDD5614P_05 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:60V P-Channel PowerTrench㈢ MOSFET
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