參數(shù)資料
型號： FDD5612
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： 2MM SOCKET STRIPS
中文描述： 18 A, 60 V, 0.055 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252
封裝： DPAK-3
文件頁數(shù)： 1/5頁
文件大小： 147K
代理商： FDD5612
Absolute Maximum Ratings
T
C
=25
o
C unless otherwise noted
Symbol
V
DSS
V
GSS
I
D
Parameter
Ratings
60
±
20
19
6
100
36
3.2
1.3
-55 to +150
Units
V
V
A
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Maximum Drain Current -Continuous
(Note 1)
(Note 1a)
Maximum Drain Current -Pulsed
Maximum Power Dissipation @ T
C
= 25
o
C
(Note 1)
T
A
= 25
o
C
(Note 1a)
T
A
= 25
o
C
(Note 1b)
Operating and Storage Junction Temperature Range
P
D
W
T
J
, T
stg
°
C
Thermal Characteristics
R
θ
JA
Thermal Resistance, Junction-to-Case
(Note 1)
R
θ
JC
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
(Note 1a)
3.5
40
96
°
C/W
°
C/W
(Note 1b)
Package Marking and Ordering Information
Device Marking
Device
Reel Size
Tape Width
Quantity
FDD5612
FDD5612
13”
16mm
2500
G
S
D
TO-252
S
D
G
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
FDD5614 60V P-Channel PowerTrench MOSFET
FDD5614P 60V P-Channel PowerTrench MOSFET
FDD5670 60V N-Channel PowerTrenchTM MOSFET
FDD5680 N-Channel, PowerTrench⑩ MOSFET
FDD5690 60V N-Channel PowerTrench⑩ MOSFET
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參數(shù)描述
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