參數(shù)資料
型號(hào)： FDC658P
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： Single P-Channel, Logic Level, PowerTrenchTM MOSFET
中文描述： 4000 mA, 30 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： SUPERSOT-6
文件頁(yè)數(shù)： 3/8頁(yè)
文件大?。?/td> 249K
代理商： FDC658P
FDC658P Rev.C
0
1
2
3
4
0
4
8
12
16
20
-V , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
-
D
-4.5V
-4.0V
-6.0V
-3.5V
-3.0V
V = -10V
0
4
8
12
16
20
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
- I , DRAIN CURRENT (A)
D
V = -4.0 V
R
D
-10.0V
-4.5V
-6.0V
-8.0V
-5.0V
Typical Electrical Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics.
Figure 2. On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage.
Figure 3. On-Resistance Variation
with Temperature.
Figure 5. Transfer Characteristics.
0
0.2
-V , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
20
-
S
25°C
-55°C
V = 0V
J
Figure 4. On-Resistance
Variation with
Gate-to-Source Voltage.
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
D
R
D
V = -10V
I = -4A
2
4
6
8
10
0
0.04
0.08
0.12
0.16
-V , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
R
D
I = -2A
D
J
TJ
1
2
3
4
5
6
0
4
8
12
16
20
-V , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
-
V = -5V
D
T = -55°C
125°C
25°C
Figure 6. Body Diode Forward Voltage
Variation with Source Current
and Temperature.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FDC6901L Integrated Load Switch
FDC697P P-Channel 1.8V PowerTrench MOSFET
FDC699P P-Channel 2.5V PowerTrencH MOSFET
FDC796N 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
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參數(shù)描述
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FDC6901L 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET
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