參數(shù)資料
型號(hào)： FDC6561AN
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類(lèi)： 小信號(hào)晶體管
英文描述： Dual N-Channel Logic Level PowerTrenchTM MOSFET
中文描述： 2500 mA, 30 V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： SUPERSOT-6
文件頁(yè)數(shù)： 4/8頁(yè)
文件大?。?/td> 256K
代理商： FDC6561AN
FDC6561AN Rev.C
Figure 10. Single Pulse Maximum Power
Dissipation.
0.1
0.5
1
2
5
10
30
10
20
50
100
200
500
V , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
C
C ss
f = 1 MHz
V = 0V
C ss
C ss
Figure 8. Capacitance Characteristics
.
Figure 7. Gate Charge Characteristics.
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.
Typical Electrical Characteristics
(continued)
0
1
2
3
4
0
2
4
6
8
10
Q , GATE CHARGE (nC)
V
G
I = 2.5A
10V
15V
V = 5V
0.1
0.3
1
3
10
30
50
0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
10
30
V , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
RDS(ON)LMT
V = 10V
SINGLE PULSE
R =180°C/W
T = 25°C
DC
1s
10ms
100ms
1ms
100us
0.01
0.1
1
10
100
300
0
1
2
3
4
5
SINGLE PULSE TIME (SEC)
P
SINGLE PULSE
R =180°C/W
T = 25°C
Figure 11. Transient Thermal Response Curve.
Thermal characterization performed using the conditions described in Note 1c.
Transient thermal response will change depending on the circuit board design.
0.0001
0.001
0.01
0.1
t , TIME (sec)
1
10
100
300
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1
T
Single Pulse
D = 0.5
0.1
0.05
0.02
0.01
0.2
r
Duty Cycle, D = t / t
2
T - T = P * R JA
P(pk)
t
1
t
2
R (t) = r(t) * R
R =
180
°C/W
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PDF描述
FDC6561 Dual N-Channel Logic Level PowerTrenchTM MOSFET
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